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（d-f）掺有薄金属带的石墨烯晶体管的器件结构，美妆NTC传输特性和STI运行。【图文导读】图一、大号多值逻辑门的基础（a）在ITRS2013，ITRS2015，IRDS2017和IRDS2020中报告了针对高性能逻辑门长度在半导体技术方面的预计进展。

虽虚（b）电路复杂度的理论估计。此外，不懂根据每个器件的工作原理，对新兴材料进行了分类。（b）施加VDD从2到0.7V的情况下，血洗二进制到三进制过渡。

（d，美妆f）二值逆变器和STI在输入电压波动下的时间响应。图六、大号量子点场效应晶体管（a）三级传递曲线示意图。

虽虚（b-e）各种配置中的逆变器元器件传输特性示意图。

不懂（c）SiOx-QD嵌入和GeOx-QD嵌入结构的TEM图像。对于我们和差异化企业来说，血洗这些都是真正的、明显的竞争优势。

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